стань автором. присоединяйся к сообществу!
  •  © ipme.ru

    В результате исследований был открыт принципиально новый метод выращивания монокристаллического карбида кремния на кремнии.

    На таких подложках можно: выращивать транзисторы с высокой подвижностью носителей заряда, выращивать гетероструктуру нитрида галлия для голубых лазеров, использовать их в качестве основы для квантовых компьютеров, создавать отечественные микрочипы для светодиодов, создавать сверхэффективные датчики, создавать приемники терагерцевого излучения для легочных заболеваний, и приборов после инсультной и после инфарктной терапии, создать прибор «сжигающий» избыточный сахар у людей болеющих диабетом.

    Кроме того, приборы, в которых используется карбид кремния, могут работать почти до трехсот градусов Цельсия без потери полупроводниковых свойств, тогда как кремний «плывет» уже при температуре, превышающей 60 градусов Цельсия. Наконец, микросхемы на карбиде кремния могут работать в условиях высокого радиоактивного облучения, т. е. на ядерных станциях и в космосе.

    читать дальше

    МОСКВА, 10 авг — РИА Новости. Уникальный инструмент для шлифовки на основе алмазного порошка, применение которого на 20% ускоряет обработку деталей оптики, электронной и лазерной техники, создан холдингом «Швабе» Госкорпорации Ростех, сообщается в пресс-релизе холдинга.

    С помощью инструмента создается идеально ровная поверхность даже у самых твердых материалов — карбида кремния, лейкосапфира, корундовой керамики. Авторская разработка защищена в РФ несколькими патентами на изобретения.

    читать дальше

  • ОАО «Волжский абразивный завод» подвел итоги своей деятельности за 2015 год, согласно которым объем продаж готовой импортозамещающей продукции завода в денежном выражении увеличился на 29,7% к аналогичному периоду 2014 года — сообщает ВолгаПромЭксперт.

    • Волжский абразивный завод увеличил объемы производства
    • Волжский абразивный завод увеличил объемы производства

    Рост по производству карбида кремния составил 7,2%, а производство огнеупорных изделий выросло на 78%.

    Объем капитальных вложений в оборудование и производственную инфраструктуру в 2015 году в сравнении с 2014 годом увеличился на 91% и составил 340 млн рублей, в том числе 70 млн рублей предприятие потратило на модернизацию энергосистемы, 50 млн рублей было выделено на логистическую инфраструктуру. Кроме того, 80 млн рублей завод выделил на природоохранные мероприятия. Так, в прошлом году на абразивном заводе были построены вытяжные установки, осуществлена реконструкция плавильных ячеек и системы отвода газов от печей плавки карбида кремния; ликвидирован летний полив печей сопротивления; построена и введена в эксплуатацию первая очередь газоочистки.

    Напомним, что ОАО «Волжский абразивный завод» является единственным в России производителем карбида кремния. Основные направления производственной деятельности предприятия: карбид кремния черный и зеленый, абразивный инструмент на керамической и органической связках, огнеупорные изделия на оксидной и нитридной связках.

  • Холдинг «Швабе» представил на проходящем авиационно-космическом салоне МАКС-2015, облегченное зеркало из карбида кремния, которое может использоваться в оптических и оптико-электронных системах слежения, аэрофотосъемки и дистанционного зондирования Земли космического и авиационного базирования, сообщает пресс-служба компании.

    • © Фото: предоставлено пресс-службой холдинга "Швабе"
    • © Фото: предоставлено пресс-службой холдинга "Швабе"

    читать дальше

    Впервые российским предприятием ОАО «Светлана» (входит в холдинг Росэлектроника" Госкорпорации Ростех) разработана промышленная технология производства монокристаллов и подложек полуизолирующих карбида кремния для создания сверхвысокочастотной электронной компонентной базы. Качество подложек не уступает лучшим зарубежным аналогам.

    Данные подложки могут быть использованы в том числе для создания пленок графена, которые считаются наиболее перспективным материалом в качестве основы компонентной базы будущей микроэлектроники и возможной заменой кремния в интегральных микросхемах.

    читать дальше